分散性，什么是二极管特性分散性

本文目录一览

1，什么是二极管特性分散性
2，产品质量管理课程中数据的分散性指什么数据的分散性的含
3，什么是分散性肿瘤
4，请问半导体性能参数分散性较大是什么意思谢谢

1，什么是二极管特性分散性

二极管特性分散性(也称做离散性)这是指在批量生产时的一个现象(或规律)：这些产品的规格特性：比如耐压，就比较不一致。这就是叫分散性（离散性），在生产中是要经过检验、分选，才能最终确定。而且就是一个规格，在指标上它也是一个“区间”不是一个“点”。其它电子元件的生产也是一样，比如电阻，也是先制造，分选后才标上阻值。

二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7v，发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。二极管的电压与电流不是线性关系，所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。

什么是二极管特性分散性

2，产品质量管理课程中数据的分散性指什么数据的分散性的含

两套数据（-2，-1，0），（-3，-2，0，-2，-3），平均的值都为0，该基团是更加分散的？显然是后者。前者是越来越浓。数据的分散性和浓度数据描述的数据（或分散程度的）代表统计：统计相关的方差（或浓度的程度是一个意思标准差，标准差）;可怕的是，等。

二组数据（-2，-1，0，1，2）（-3，-2，0，-2，-3），其平均值均为0，哪个组更为分散？显然是后者。前者更为集中。数据的分散性与数据的集中性是一个含义，用于描述数据的集中程度（或者分散程度）主要代表性的统计量：数据统计中有关方差（或标准差，所谓的西格玛）；极差等。

你好！二组数据（-2，-1，0，1，2）（-3，-2，0，-2，-3），其平均值均为0，哪个组更为分散？显然是后者。前者更为集中。数据的分散性与数据的集中性是一个含义，用于描述数据的集中程度（或者分散程度）主要代表性的统计量：数据统计中有关方差（或标准差，所谓的西格玛）；极差等。如果对你有帮助，望采纳。

在书中求得答案吧。

产品质量管理课程中数据的分散性指什么数据的分散性的含

3，什么是分散性肿瘤

肿瘤 [1] 细胞实质就是肿瘤。肿瘤组织由实质和间质两部分构成，肿瘤实质是肿瘤细胞，是肿瘤的主要成分，具有组织来源特异性。它决定肿瘤的生物学特点以及每种肿瘤的特殊性。通常根据肿瘤的实质形态来识别各种肿瘤的组织来源，进行肿瘤的分类、命名和组织学诊断，并根据其分化成熟程度和异型性大小来确定肿瘤的良恶性和肿瘤的恶性程度。肿瘤细胞有三个显著的基本特征即：不死性，迁移性和失去接触抑制。除此之外，肿瘤细胞还有许多不同于正常细胞的生理、生化和形态特征。

吃望茵茸可以，他防止肿瘤复发，防癌抗癌。望茵茸能补益全身脏腑之气，调节人体新陈代谢机能，有强精益肾健脑、清热解毒、消炎消肿止痛、用于神经衰弱、阳痿早泄、气管哮喘、热淋涩痛、肠痈水肿、化瘀散结、疔疮瘰疬、各种癌肿有良好的治疗效果。对预防肿瘤和术后恢复起着很好的保健效果。根据《印度草医学》记载望茵茸能预防癌症抑制癌细胞生长，减少肿瘤生长，还能减少突变原致癌的可能性，对肺癌、肝癌、胃癌、胰腺等有良好的疗效。印度男士常用于性肾虚阳痿早泄，可以提高男性时间和增加硬度。印度的老年痴呆发病率远低于其他国家，也与望茵茸有密切关系。中药材望茵茸含有多酚类物质、槲皮素、硒微量元素。望茵茸中的硒元素和槲皮素有着防癌、抗癌、抗肿瘤的作用，能抑制襄组织的增生，阻止癌细胞转移，诱导癌细胞凋亡。根据《印度草医学》记载望茵茸能预防癌症抑制癌细胞生长，减少肿瘤生长，还能减少突变原致癌的可能性，对肺癌、肝癌、胃癌、甲状腺癌、胰腺等有良好的疗效。印度的人的口语：远离疾病，远离肿瘤毒癌，多吃望茵茸。

散发性肿瘤也有多种解释，一般来说如果肿瘤长的数量比较少，分布比较分散，不是很集中，身体的各个部位都可能生长的肿瘤即散发性肿瘤。另一种散发性肿瘤还可能解释为肿瘤是散发性的个别人患有疾病而不是集中群体性的疾病。

良性的，放心再看看别人怎么说的。

什么是分散性肿瘤

4，请问半导体性能参数分散性较大是什么意思谢谢

一致性和分散性是对器件的性能参数的改变量而言的分散性大就是说同一批器件参数差异较大一致性好就是说差异较少

半导体二极管参数符号ct-势垒电容 cj-结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 cjv-偏压结电容 co-零偏压电容 cjo-零偏压结电容 cjo/cjn-结电容变化 cs-管壳电容或封装电容 ct-总电容 ctv-电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 ctc-电容温度系数 cvn-标称电容 if-正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压vf下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 if（av）-正向平均电流 ifm（im）-正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 ih-恒定电流、维持电流。 ii-发光二极管起辉电流 ifrm-正向重复峰值电流 ifsm-正向不重复峰值电流（浪涌电流） io-整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 if(ov)-正向过载电流 il-光电流或稳流二极管极限电流 id-暗电流 ib2-单结晶体管中的基极调制电流 iem-发射极峰值电流 ieb10-双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 ieb20-双基极单结晶体管中发射极向电流 icm-最大输出平均电流 ifmp-正向脉冲电流 ip-峰点电流 iv-谷点电流 igt-晶闸管控制极触发电流 igd-晶闸管控制极不触发电流 igfm-控制极正向峰值电流 ir（av）-反向平均电流 ir（in）-反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压vr时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 irm-反向峰值电流 irr-晶闸管反向重复平均电流 idr-晶闸管断态平均重复电流 irrm-反向重复峰值电流 irsm-反向不重复峰值电流（反向浪涌电流） irp-反向恢复电流 iz-稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流 izk-稳压管膝点电流 iom-最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 izsm-稳压二极管浪涌电流 izm-最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 if-正向总瞬时电流 ir-反向总瞬时电流 ir-反向恢复电流 iop-工作电流 is-稳流二极管稳定电流 f-频率 n-电容变化指数；电容比 q-优值（品质因素） δvz-稳压管电压漂移 di/dt-通态电流临界上升率 dv/dt-通态电压临界上升率 pb-承受脉冲烧毁功率 pft（av）-正向导通平均耗散功率 pftm-正向峰值耗散功率 pft-正向导通总瞬时耗散功率 pd-耗散功率 pg-门极平均功率 pgm-门极峰值功率 pc-控制极平均功率或集电极耗散功率 pi-输入功率 pk-最大开关功率 pm-额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率 pmp-最大漏过脉冲功率 pms-最大承受脉冲功率 po-输出功率 pr-反向浪涌功率 ptot-总耗散功率 pomax-最大输出功率 psc-连续输出功率 psm-不重复浪涌功率 pzm-最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率 rf（r）-正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△v，正向电流相应增加△i，则△v/△i称微分电阻 rbb-双基极晶体管的基极间电阻 re-射频电阻 rl-负载电阻 rs(rs)-串联电阻 rth-热阻 r(th)ja-结到环境的热阻 rz(ru)-动态电阻 r(th)jc-结到壳的热阻 rδ-衰减电阻 r(th)-瞬态电阻 ta-环境温度 tc-壳温 td-延迟时间 tf-下降时间 tfr-正向恢复时间 tg-电路换向关断时间 tgt-门极控制极开通时间 tj-结温 tjm-最高结温 ton-开通时间 toff-关断时间 tr-上升时间 trr-反向恢复时间 ts-存储时间 tstg-温度补偿二极管的贮成温度 a-温度系数 λp-发光峰值波长 △λ-光谱半宽度 η-单结晶体管分压比或效率 vb-反向峰值击穿电压 vc-整流输入电压 vb2b1-基极间电压 vbe10-发射极与第一基极反向电压 veb-饱和压降 vfm-最大正向压降（正向峰值电压） vf-正向压降（正向直流电压） △vf-正向压降差 vdrm-断态重复峰值电压 vgt-门极触发电压 vgd-门极不触发电压 vgfm-门极正向峰值电压 vgrm-门极反向峰值电压 vf（av）-正向平均电压 vo-交流输入电压 vom-最大输出平均电压 vop-工作电压 vn-中心电压 vp-峰点电压 vr-反向工作电压（反向直流电压） vrm-反向峰值电压（最高测试电压） v（br）-击穿电压 vth-阀电压（门限电压） vrrm-反向重复峰值电压（反向浪涌电压） vrwm-反向工作峰值电压 v v-谷点电压 vz-稳定电压 △vz-稳压范围电压增量 vs-通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压 av-电压温度系数 vk-膝点电压（稳流二极管） vl-极限电压