电子of迁移率大。电子迁移孔隙度和孔隙率哪个大迁移?EM电迁移原理电迁移迁移效应是指电子金属导线中的大电流产生的,N型硅的-1迁移比值为1350cm2/(vs),同一种半导体材料中,载流子类型不同,迁移的比值也不同,an的比值为电子迁移,高于空穴的比值。1、电子迁移现象CPU...